Biomod2015pknu/Deposition

실험 과정

2015.07.30.목

강용철 교수님 실험실을 방문하여 'ALPHA STEP 500'기계를 이용하여 입혀진 박막의 두께를 측정함.
박막의 두께를 측정하기 위해서 알파스텝(α-step)이라고 알려진 두께 측정방법을 사용하였다.
이 방법은 기판과 박막표면 까지의 거리를 모두 합한 뒤 평균을 낸 것을 말한다. 따라서 박막표면이 얼마나 불균일하고, 울퉁불퉁하고, 내부에 기공이 존재하는지는 상관이없다.

기기조작

• scan length : scan할 범위 설정(실험에서는 500μm)
  
• scan speed : 20μm/s
  
• Z-O(Zoom out) : 실험 초기화면으로 돌아감
  
• level : 측정결과그래프가 비뚤어지게 나온경우 평평한 방향으로 그래프를 정리해줌.
  
• 결과를 보면 -366Α이런 식으로 나오는데 이는 nm 와 Α의 차이를 나타내므로, 36.6nm로 읽어준다.
  (ex) -452Α=45.2nm

2015.07.27.월

장재원 교수님 실험실을 방문하여 함께 용당 제 8공학관 방문.
THERMAL EVAPORATOR SYSTEM (KVE-T2000) 기계를 이용하여 실리콘 기판(1*2 크기)에 Ti 5nm, Au 15nm 증착.
애초에 생각했던 Ti 1nm증착은 Au를 올렸을 때 떨어질 가능성이 높아 안정적인 5-7nm의 두께로 증착.
실험을 진행하기전 실리콘기판을 아세톤으로 세척 후 질소로 기판을 말리고 나서 실험을 진행한다.→실리콘 기판에 이물질이 없도록 한다.
깨끗히 씻은 실리콘 기판을 기계안에 넣고 기계안을 진공상태로 만든다.(약 120분 소요)
진공상태에 충분히 도달했다고 생각되면 Ti 5nm, Au 15nm를 증착한다. (약 30분 소요)
증착이 완료되면 기판이 충분히 식을 때 까지 기다린다.(약 30분)

박막씌운 실리콘 기판 depth측정 : 강용철 교수님께 연락하고 방문 허가 받으면 실험실 방문예정.
THERMAL EVAPORATOR SYSTEM 기기 이미지



실리콘기판(증착하기전)

2015.07.24.목

강용철 교수님 실험실에서 실리콘 기판 (1*2 크기)받아옴
DEPTH 측정시 기판은 큰 상관없고 코팅 테이프만 잘 부착되어있으면 괜찮다하셨음.

2015.07.20.Mon

PDMS는 용이하지 않아 다른 기판을 생각.
->유리기판(slide glass)에 spin coating 방식으로 기판에 고정시킨 후 thermal evaporation.
Mg particle(100nm)에 Ti 1~2nm, Au 10nm 증착.
Janus particle을 sonication 하여 수거함.

• 장재원교수님 실험실에서 실험 진행

필요한 것들

• Si wafer: 강용철, 박성흠, 장재원
• Sputtering (Kang), Thermal deposition(Park)

실험 장비

• TiO₂ (amorphous, 110°C)
• Au deposition 어렵다.